半导体器件终端结构、制备方法及半导体器件技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件终端结构、制备方法及半导体器件，该终端结构包括：漏极电极，位于漏极电极上的衬底，位于衬底上的外延层，位于外延层上的金属场板和钝化层；外延层远离衬底一侧的两端还分别设置有主结区和截止环，主结区和截止环之间的外延层内沿外延层的竖向依次设置至少两层场限环结构，每层场限环结构均包括沿外延层横向分布的至少一个场限环，靠近衬底的场限环结构中场限环的数量小于靠近金属场板的场限环结构中场限环的数量且每层场限环结构最外侧的场限环沿衬底至金属场板的方向呈阶梯状设置；钝化层从主结区起覆盖至截止环的部分区域，金属场板覆盖于截止环上未被钝化层覆盖的区域。本发明专利技术可以提高击穿电压及器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术适用于半导体，尤其涉及一种半导体器件终端结构、制备方法及半导体器件。

技术介绍

1、场效应管即金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductorfield effect transistor,mosfet)由于其高压、高频等特点在电子功率器件中获得越来越多的关注。随着它的发展，该器件的可靠性也变得十分重要。现有的场效应管通常表面电场较大，击穿电压较低，在可靠性测试中容易被损坏，导致器件失效。为了提高器件的击穿电压，现有技术通常会在利用场限环的终端结构中增加场限环的个数来提高耐压，但这样做会造成器件终端面积增加。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种半导体器件终端结构、制备方法及半导体器件，以解决现有技术中，场效应管表面电荷较大、击穿电压较低，可靠性较低的问题。

2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种半导体器件终端结构，该结构包括：

3、漏极电极，位于所述漏极电极上的衬底，位于所述衬底上的外延层，位于所述外延层上的金属场板和钝化本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件终端结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件终端结构，其特征在于，最靠近所述衬底的场限环结构中对应场限环的下表面与所述衬底的上表面的间距大于所述主结区的结底部位置与所述衬底的上表面的间距。

3.根据权利要求1所述的半导体器件终端结构，其特征在于，最远离所述衬底的场限环结构中对应场限环的上表面与所述外延层的上表面间距预设距离，所述预设距离的取值范围为0至0.3um。

4.根据权利要求1所述的半导体器件终端结构，其特征在于，在相邻两层场限环结构中，处在上层的场限环结构中场限环的下表面与处在下层的场限环结构中场限环的上表...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件终端结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件终端结构，其特征在于，最靠近所述衬底的场限环结构中对应场限环的下表面与所述衬底的上表面的间距大于所述主结区的结底部位置与所述衬底的上表面的间距。

3.根据权利要求1所述的半导体器件终端结构，其特征在于，最远离所述衬底的场限环结构中对应场限环的上表面与所述外延层的上表面间距预设距离，所述预设距离的取值范围为0至0.3um。

4.根据权利要求1所述的半导体器件终端结构，其特征在于，在相邻两层场限环结构中，处在上层的场限环结构中场限环的下表面与处在下层的场限环结构中场限环的上表面的竖向间距小于0.2um，所有场限环结构中场限环在所述外延层的横向上的投影中，任两个相邻投影的横向间隔小于或者等于2um。

5.根据权利要求4所述的半导体器件终端结构，其特征在于，所有场限环结构中场限环在所述横向上的投影与所述截止环在所述横向上的投影之间的间隔大于20um且小于30um，和/或所有场限环结构中场限环在所述横向上的投影与所述主结区在所述横向...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文慧，卢汉汉，
申请(专利权)人：比亚迪半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：