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本申请提供一种坩埚、坩埚组件和半导体设备，属于半导体技术领域。坩埚包括坩埚本体，坩埚本体具有顶部开口的容置腔以及设置于坩埚本体用于安装加热件的安装腔。可以改善晶体生长过程中在坩埚的中部轴向区域形成大量的重结晶多晶碳化硅区域，从而可以提高原料...
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