【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体领域，具体而言，涉及一种坩埚、坩埚组件和半导体设备。
技术介绍
1、pvt法生长碳化硅单晶的生长过程是在密闭的石墨坩埚中进行，因此在高温下生长环境处于富碳气氛下。
2、在实际的晶体生长中，石墨坩埚中的生长原料由于温度场分布的原因在温度场中相对中间的部分温度最低，因此，在晶体生长结束后往往会在坩埚的中部轴向区域形成大量的重结晶多晶碳化硅区域，大大的降低了生长原料的利用率，而且也不利于四周气相成分向籽晶的运输。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种坩埚、坩埚组件、坩埚组件和半导体设备，其能够改善坩埚的中部轴向区域形成大量的重结晶多晶碳化硅区域的问题，从而可以提高生长原料的利用率。
2、本技术的实施例是这样实现的：
3、第一方面，本技术提供一种坩埚，包括坩埚本体，所述坩埚本体具有顶部开口的容置腔以及设置于所述坩埚本体用于安装加热件的安装腔。
4、在可选的实施方式中，所述坩埚本体包括底壁和围合在所述底壁的侧壁；
5、...
【技术保护点】
1.一种坩埚，其特征在于，包括坩埚本体(110)，所述坩埚本体(110)具有顶部开口的容置腔(111)以及设置于所述坩埚本体(110)用于安装加热件(310)的安装腔(113)。
2.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述坩埚本体(110)包括底壁和围合在所述底壁的侧壁；
3.根据权利要求2所述的坩埚，其特征在于，所述安装腔(113)呈圆筒状，且顶端封闭。
4.根据权利要求2所述的坩埚，其特征在于，所述安装腔(113)向着顶部的方向逐渐增大或减小，且顶端封闭。
5.一种坩埚组件，其特征在于，包括权利要求1-4中任一项...
【技术特征摘要】
1.一种坩埚，其特征在于，包括坩埚本体(110)，所述坩埚本体(110)具有顶部开口的容置腔(111)以及设置于所述坩埚本体(110)用于安装加热件(310)的安装腔(113)。
2.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述坩埚本体(110)包括底壁和围合在所述底壁的侧壁；
3.根据权利要求2所述的坩埚，其特征在于，所述安装腔(113)呈圆筒状，且顶端封闭。
4.根据权利要求2所述的坩埚，其特征在于，所述安装腔(113)向着顶部的方向逐渐增大或减小，且顶端封闭。
5.一种坩埚组件，其特征在于，包括权利要求1-4中任一项所述的坩埚和加热件(310)；
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