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本发明涉及异质结太阳能电池领域，具体涉及一种硅异质结电池铜栅线的制备方法。本发明提供一种硅异质结电池铜栅线的制备方法，包括在形成铜种子层的电池正背表面制备油墨层，再刻蚀掉电池侧面的铜种子层和TCO薄膜。该方法仅通过一次掩膜，即实现了电池表面...
该专利属于国家电投集团科学技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过国家电投集团科学技术研究院有限公司授权不得商用。

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