【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及异质结太阳能电池领域，具体涉及一种硅异质结电池铜栅线的制备方法。
技术介绍
1、太阳能电池是一种能将太阳能转换成电能的半导体器件，在光照条件下太阳能电池内部会产生光生电流，通过电极将电能输出。近年来，太阳能电池生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提高，太阳能电池发电的应用日益广泛并成为电力供应的重要能源。
2、目前铜栅线硅异质结太阳能电池的典型结构为：铜栅线电极/tco/a-si(n)/a-si(i)/c-si/a-si(i)/a-si(p)/tco/铜栅线电极。对正背电极均为铜栅线的电池，工艺流程为：晶硅衬底清洗制绒、pecvd沉积正背面本征及掺杂非晶硅薄膜、pvd沉积正背面tco薄膜以及铜栅线制备。单就铜栅线制备而言，其步骤包括：(a)pvd沉积铜种子层：在正背面tco薄膜表面分别通过pvd沉积正背面铜种子层；(b)光刻图形化：在正背面铜种子层表面依次通过贴膜、层压、曝光、显影步骤形成图形化的掩膜；(c)电镀：电镀沉积正背面铜栅线；(d)去除正背面掩膜；(e)去铜化锡：去除非栅线位置的铜种子层并...
【技术保护点】
1.一种硅异质结电池铜栅线的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的硅异质结电池铜栅线的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，在形成有铜种子层的电池表面印刷或喷涂光固化油墨，并加热使其干燥固化，制得油墨层。
3.根据权利要求2所述的硅异质结电池铜栅线的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述固化的温度为70～100℃，固化的时间为10～30min。
4.根据权利要求1所述的硅异质结电池铜栅线的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述油墨层的厚度为8～35μm。
5.根据权利要求1所述的硅异...
【技术特征摘要】
1.一种硅异质结电池铜栅线的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的硅异质结电池铜栅线的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，在形成有铜种子层的电池表面印刷或喷涂光固化油墨，并加热使其干燥固化，制得油墨层。
3.根据权利要求2所述的硅异质结电池铜栅线的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述固化的温度为70～100℃，固化的时间为10～30min。
4.根据权利要求1所述的硅异质结电池铜栅线的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述油墨层的厚度为8～35μm。
5.根据权利要求1所述的硅异质结电池铜栅线的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，将曝光后的电池放入化学刻蚀液中依次刻蚀去除所述电...
【专利技术属性】
技术研发人员：田宏波，黎力，赵晓霞，李世岚，王伟，宗军，孙金华，范霁红，
申请(专利权)人：国家电投集团科学技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。