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本发明的磁存储元件(100)包括：反铁磁性层(110)，层叠在基板(2)上、由具有磁矩倾斜的磁序的倾斜的反铁磁性体构成；重金属层(120)，层叠在反铁磁性层(110)上，由表现出自旋霍尔效应的非磁性重金属构成；以及重金属层(120)上的氧化...
该专利属于国立大学法人东京大学所有，仅供学习研究参考，未经过国立大学法人东京大学授权不得商用。

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