磁存储元件制造技术

本发明专利技术的磁存储元件(100)包括：反铁磁性层(110)，层叠在基板(2)上、由具有磁矩倾斜的磁序的倾斜的反铁磁性体构成；重金属层(120)，层叠在反铁磁性层(110)上，由表现出自旋霍尔效应的非磁性重金属构成；以及重金属层(120)上的氧化物层(130)。反铁磁性层(110)和重金属层(120)的界面粗糙度为1.0nm以下。当写入电流沿面内方向流向重金属层(120)时产生自旋流，通过由自旋流产生的自旋轨道矩作用于反铁磁性层(110)的磁序，从而磁序能够反转。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种磁存储元件。

技术介绍

1、近年来，使用了能够将磁化方向作为“0”和“1”的信息进行存储的铁磁性体的磁阻存储器，作为非易失性存储器的代表例而受到关注。最近，作为写入方法，使用自旋流的磁化反转现象被发现且正在被通用化。特别是，通过在由铁磁性体和非磁性重金属(钨(w)、铂(pt)等)构成的多层膜中流过电流而产生的磁化反转现象，称为自旋轨道矩磁化反转，作为下一代技术正在被积极地研究。

2、另外，为了进一步提高磁阻存储器的速度，正在研究从铁磁性体向反铁磁性体的替代(例如，参照非专利文献1)。其理由是，反铁磁性体的自旋响应速度为与铁磁性体相比快2～3个数量级的thz带(pico(10-12)秒)，磁性体间的相互作用较小，因此，以磁阻存储器为首的磁性器件有可能进一步实现高速化、高集成化。

3、现有技术文献

4、非专利文献

5、非专利文献1:h.tsai,t.higo,k.kondou,t.nomoto,a.sakai,a.kobayashi,t.nakano,k.yakushiji,r.arita,s.本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磁存储元件，其中，包括：

2.根据权利要求1所述的磁存储元件，其中，

3.根据权利要求1所述的磁存储元件，其中，

4.根据权利要求1所述的磁存储元件，其中，

5.根据权利要求1所述的磁存储元件，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的磁存储元件，其中，

7.根据权利要求1～5中任一项所述的磁存储元件，其中，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种磁存储元件，其中，包括：

2.根据权利要求1所述的磁存储元件，其中，

3.根据权利要求1所述的磁存储元件，其中，

4.根据权利要求1所述的磁存储元件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：中辻知，肥后友也，
申请(专利权)人：国立大学法人东京大学，
类型：发明
国别省市：