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本申请公开了一种沟槽型功率器件及其制备方法，沟槽型功率器件包括：第一掺杂类型的衬底；第一掺杂类型的外延层，位于衬底的第一表面；位于外延层中的第一沟槽栅和第二沟槽栅，第一沟槽栅和第二沟槽栅具有不同的深度，且在第一方向交替排列；第二掺杂类型的体...
该专利属于杭州芯迈半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州芯迈半导体技术有限公司授权不得商用。

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