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本发明涉及一种缓冲层填埋断续生长尺寸高均匀单层Ｇｅ量子点的方法，属半导体量子材料制备技术领域。本发明的单层Ｇｅ量子点的方法采用离子束溅射技术，通过转动高纯Ｇｅ靶材和高纯Ｓｉ靶材的位置，在预处理后的硅基底材料上断续生长厚度为２０ｎｍ～６０ｎｍ...
该专利属于云南大学所有，仅供学习研究参考，未经过云南大学授权不得商用。

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