缓冲层填埋断续生长尺寸高均匀单层Ｇｅ量子点的方法技术

本发明专利技术涉及一种缓冲层填埋断续生长尺寸高均匀单层Ｇｅ量子点的方法，属半导体量子材料制备技术领域。本发明专利技术的单层Ｇｅ量子点的方法采用离子束溅射技术，通过转动高纯Ｇｅ靶材和高纯Ｓｉ靶材的位置，在预处理后的硅基底材料上断续生长厚度为２０ｎｍ～６０ｎｍ的Ｓｉ缓冲层，再在Ｓｉ缓冲层上断续自组织生长厚度为２．０ｎｍ～３．０ｎｍ的单层Ｇｅ量子点。本发明专利技术通过断续生长，有效解决了制备量子点材料存在量子点需要多层生长来调控量子点尺寸均匀性，以及量子点的结晶、可控性差、高宽比低、及Ｇｅ／Ｓｉ互混严重不足，获得能用于制作量子点器件的量子点材料，且生产成本低，可控性好，易于产业化生产，是制备量子点的一种简易而高效的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用离子束溅射技术缓冲层填埋断续生长尺寸高均勻单层Ge量子 点的方法，属半导体量子材料制备

技术介绍
量子点(Quantum Dot,简称QD)，又称人工原子，是一种零维自由的量子结构，当 颗粒尺寸达到纳米量级时，尺寸限域将引起尺寸效应、量子限域、宏观量子隧道效应及表面 效应等，这些独特量子效应，使量子点材料被广泛研究应用于光电信息器件中，基于三维受 限量子点的分立特性的量子器件，以其独特优异的电学、光学性能和极低功耗，在纳米电子 学、光电子学、生命科学、量子计算机以及军事国防等领域有着极其广泛的应用前景，具体 可运用在量子点激光器、量子点红外探测器、单光子光源、单电子器件和量子计算机等方 面。瞬时超大功率激光器，能用于拦截或摧毁飞行器(如，导弹、飞机、卫星等)，是一种定向 智能武器，对国防建设有重要意义。因此，各大国都对此展开了深入研究。然而，量子点的 尺寸大小、尺寸的均勻性，形状、密度及组分分布都会对其光电性质产生重要的影响，一般 光电子器件应用都要求量子点满足密度高、尺寸小且分布均勻、排列有序的条件。现有的硅 基Ge量子点自组织生长的方法主要有化学气本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种缓冲层填埋断续生长尺寸高均匀单层Ｇｅ量子点的方法，用离子束溅射技术，通过转动高纯Ｇｅ靶材和高纯Ｓｉ靶材的位置，在预处理后的硅基底材料上溅射沉积Ｇｅ和Ｓｉ薄膜；其特征在于本专利技术的单层Ｇｅ量子点的方法先在预处理后的硅基底材料上断续生长厚度为２０ｎｍ～６０ｎｍ的Ｓｉ缓冲层，再在Ｓｉ缓冲层上断续自组织生长厚度为２．０ｎｍ～３．０ｎｍ的单层Ｇｅ量子点。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨宇，王茺，张学贵，熊飞，潘红星，杨杰，
申请(专利权)人：云南大学，
类型：发明
国别省市：53[中国|云南]