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本发明公开了一种硅碳负极材料的制备方法，以多孔碳材料为基底，经分阶段硅源沉积后再进行表面碳包覆；分阶段硅源沉积包括：第一阶段，控制反应器内温度为300～800℃，初始压强为10～30Kpa，通入原料气的流速为2～10L/min；当反应器内压...
该专利属于碳一新能源（杭州）有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过碳一新能源（杭州）有限责任公司授权不得商用。

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