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本发明公开一种平面栅U槽SiC VDMOSFET结构，包括多个并联的MOS元胞，所述MOS元胞具有多晶硅栅极，所述多晶硅下侧具有一层栅氧层，所述栅氧层上具有一凸起段，所述突起段位于所述MOS元胞的JFET区上方，使得凸起段降低自身内部的雪崩...
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