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本发明涉及流量传感器技术领域，特别是涉及一种MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法，包括基底、氮化硅层、氧化硅层、金属层、接触孔和钝化保护层，由此形成上下层金属导通的纵向多层结构，三层金属层中均设置测温电阻，最上层氮化硅层中间部位金属为发...
该专利属于莱斯能特（苏州）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过莱斯能特（苏州）科技有限公司授权不得商用。

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