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一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,包括衬底以及多个分立于衬底上的鳍式结构,鳍式结构包括底部鳍部和位于底部鳍部上的牺牲层以及位于牺牲层上的顶部鳍部;在衬底上形成围绕底部鳍部和牺牲层的隔离层,隔离层暴露出顶部鳍部;在隔离层上形成横...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,包括衬底以及多个分立于衬底上的鳍式结构,鳍式结构包括底部鳍部和位于底部鳍部上的牺牲层以及位于牺牲层上的顶部鳍部;在衬底上形成围绕底部鳍部和牺牲层的隔离层,隔离层暴露出顶部鳍部;在隔离层上形成横...