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一种单晶型SiC长晶装置制造方法及图纸
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下载一种单晶型SiC长晶装置的技术资料
文档序号:40009834
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本技术提供了一种单晶型SiC长晶装置,包括:炉体和加热装置;所述的炉体内设置有石墨坩埚,所述石墨坩埚的外表面包覆有隔热材料;所述的加热装置包括线圈,所述的线圈位置可沿着炉体的轴线方向移动,并可分层控制线圈的电流和/或电压;工作状态下,炉体内...
该专利属于海南启仓投资有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过海南启仓投资有限公司授权不得商用。
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