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本发明提供了一种薄膜制备方法以及提升薄膜抑制电迁移能力的方法，通过采用分多段执行的薄膜生长工艺，在分段执行的所述薄膜生长工艺的间隙，停止主反应气体，并执行等离子体处理工艺，以使形成的氮掺杂碳化硅薄膜分层并出现多层致密的界面。所述界面能够抑制...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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