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本发明提供一种MOS器件寿命预测方法、装置和电子设备，属于半导体器件技术领域。方法包括：基于对正常环境的MOS器件进行加速退化试验的试验结果获取关键电参数退化曲线；基于关键电参数退化曲线确定MOS器件的试验寿命；对正常环境的MOS器件进行可...
该专利属于北京智芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京智芯微电子科技有限公司授权不得商用。

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