【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种mos器件寿命预测方法、一种mos器件寿命预测装置和一种电子设备。
技术介绍
1、金属氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor，mos）又称场控晶体管，作为最具代表性半导体元器件，具备低静态功耗、高响应速度等优秀特征，被广泛应用于大规模集成电路芯片。
2、通常，mos器件的设计需要针对适配芯片的种类进行系统性结构优化，增强器件在不同运行环境下的鲁棒性。在实际应用前，需对mos器件进行可靠性测试，基于测试结果对器件运行寿命进行评估。常规的可靠性测试采用恒压应力或梯度应力对器件进行加速实验测试，二者本质上均以规律性的电压应力施加于mos器件电极端，观测不同应力时长器件电学参数的变化规律。
3、然而，真实器件应用环境并不能保证理想的电压输入，当外界电磁干扰严重时，mos器件输入端受到来自外界的电磁应力，将产生明显的输出波动。这是工业芯片常见的应用难题，器件输出的波动导致电学信号的衰减难以界定，进而mos器件的寿命难以评估。
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【技术保护点】
1.一种MOS器件寿命预测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的MOS器件寿命预测方法，其特征在于，所述基于对正常环境的MOS器件进行加速退化试验的试验结果获取关键电参数退化曲线，包括：
3.根据权利要求1或2所述的MOS器件寿命预测方法，其特征在于，所述关键电参数退化曲线包括第一退化曲线，所述第一退化曲线是表征MOS器件的退化过程中饱和漏电流随时间变化的曲线，所述基于关键电参数退化曲线确定MOS器件的试验寿命，包括：
4.根据权利要求1或2所述的MOS器件寿命预测方法，其特征在于，所述关键电参数退化曲线包括第二退化曲线...
【技术特征摘要】
1.一种mos器件寿命预测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的mos器件寿命预测方法，其特征在于，所述基于对正常环境的mos器件进行加速退化试验的试验结果获取关键电参数退化曲线，包括：
3.根据权利要求1或2所述的mos器件寿命预测方法，其特征在于，所述关键电参数退化曲线包括第一退化曲线，所述第一退化曲线是表征mos器件的退化过程中饱和漏电流随时间变化的曲线，所述基于关键电参数退化曲线确定mos器件的试验寿命，包括：
4.根据权利要求1或2所述的mos器件寿命预测方法，其特征在于，所述关键电参数退化曲线包括第二退化曲线，所述第二退化曲线是表征mos器件的退化过程中阈值电压随时间变化的曲线，所述基于关键电参数退化曲线确定mos器件的试验寿命，包括：
5.根据权利要求1所述的mos器件寿命预测方法，其特征在于，所述基于所述第一栅氧界面缺陷浓度退化曲线与所述试验寿命，确定目标栅氧界面缺陷浓度，包括：
6.根据权利要求1所述的mos器件寿命预测方法，其特征在于，所述基于所述第二栅氧界面缺陷浓度退化曲线与所述目标栅氧界面缺陷浓度，确定电磁干扰环境下mos器件的预测寿命，包括：
7.根据权利要求1所述的mos器件寿命预测方法，其特征在于，在mos器件的生长工艺不涉及氮化情况下，正常环境mos器件的加速退化过程基于缺陷理论的可靠性仿真中的栅氧界面缺陷浓度初始值是基于以下步骤得到的：
8.一种mos器件寿命预测装置，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的mos器件寿命预测装置，其特征在于，所述基于对正常环境的mos器件进行加速退化试验的试验结...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱亚星，赵东艳，戴飞，陈燕宁，刘芳，吴波，王柏清，王凯，宋斌斌，连亚军，
申请(专利权)人：北京智芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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