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本发明公开一种抑制电压过冲的埋沟U槽SiC VDMOSFET结构，包括碳化硅外延层，碳化硅外延层顶部具有P阱和N阱基本注入形貌，N阱具有P+2，P阱、N阱及P+2上贯穿形成埋沟式U槽，使得SiC VDMOSFET结构中形成具有栅源之间纵向的...
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