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本发明公开了一种CT阴极管阴极表面涂层及其制备方法，以铱(Ir)、锇(Os)为金属靶，通过改进磁控溅射工艺，在钼基底上沉积得厚度10～20μm的金属涂层，所制备的金属涂层与基底结合力可超过100N，且涂层致密、均匀性好，可作为CT用X射线管...
该专利属于禹德芯电子科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过禹德芯电子科技（上海）有限公司授权不得商用。

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