一种CT阴极管阴极表面涂层及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种CT阴极管阴极表面涂层及其制备方法，以铱(Ir)、锇(Os)为金属靶，通过改进磁控溅射工艺，在钼基底上沉积得厚度10～20μm的金属涂层，所制备的金属涂层与基底结合力可超过100N，且涂层致密、均匀性好，可作为CT用X射线管中阴极管表面激发电子的阴极使用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于金属表面处理，涉及ct阴极管表面改性处理，具体涉及一种ct阴极管阴极表面涂层及其制备方法。

技术介绍

1、x射线管作为ct系统的重要组成部分，主要由阴极、阳极、真空室、窗口和电源等组成。其中，阴极的主要作用是产生足够数量和能量的电子，并用于轰击阳极靶材而产生x射线，是x射线管中的核心部件之一，其性能直接影响x射线的发射强度及部件的整体使用寿命。为获得高的电子产额和整流，现有ct系统的x射线管普遍采用阴极管内置加热的方式，由管表面产生热电子的工作方式。然而，当x射线管处于工作状态时，阴极材料由于要面临高温和真空环境，所处的服役环境极为苛刻。因此，要求阴极管具有高温强度高、抗热冲击性能好、导热性能优异、电子逸出功低、电流密度大且稳定、热蒸发速度低等特点。

2、早期阴极管材质一般由难熔金属制成，如w、mo、re、nb、ir、os等金属单质。然而，采用难熔金属制造阴极管存在应用价值较低的问题。首先，难熔金属的制备和机械加工难度大，如w、mo、ir和os存在熔点高、脆性大等问题；其次，部分金属发射稳定，但发射效率低下，如w；再次，部分难熔金本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种CT阴极管阴极表面涂层的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的CT阴极管阴极表面涂层的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，对钼基底表面进行机械抛光，抛光后先后分别采用丙酮、酒精清洗10～20min。

3.根据权利要求1所述的CT阴极管阴极表面涂层的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，偏压反溅射清洗条件为：当真空炉腔内真空不大于2×10-4Pa后，再通入Ar气体，使真空度达到2～4Pa，然后在偏压为-600～-800V、靶基距为6～7cm条件下对钼基底进行偏压反溅射清洗，清洗时间为10～20min。

4.根据权利要求1所述...

【技术特征摘要】

1.一种ct阴极管阴极表面涂层的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的ct阴极管阴极表面涂层的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，对钼基底表面进行机械抛光，抛光后先后分别采用丙酮、酒精清洗10～20min。

3.根据权利要求1所述的ct阴极管阴极表面涂层的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，偏压反溅射清洗条件为：当真空炉腔内真空不大于2×10-4pa后，再通入ar气体，使真空度达到2～4pa，然后在偏压为-600～-800v、靶基距为6～7cm条件下对钼基底进行偏压反溅射清洗，清洗时间为10～20min。

4.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：周德新，刘春海，龙飞，常鸿，
申请(专利权)人：禹德芯电子科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：