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本发明公开了一种异质结电池及其制备方法，制备方法包括如下步骤：在N型硅基底的正面与背面分别制备本征非晶硅层；在正面的本征非晶硅层上制备N型掺杂层；在背面的本征非晶硅层上制备P型掺杂层；在P型掺杂层、N型掺杂层上分别依次制备金属铝薄膜种子层、...
该专利属于天合光能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天合光能股份有限公司授权不得商用。

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