异质结电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种异质结电池及其制备方法，制备方法包括如下步骤：在N型硅基底的正面与背面分别制备本征非晶硅层；在正面的本征非晶硅层上制备N型掺杂层；在背面的本征非晶硅层上制备P型掺杂层；在P型掺杂层、N型掺杂层上分别依次制备金属铝薄膜种子层、无铟透明导电薄膜层、金属铝薄膜中间层；在各个金属铝薄膜中间层上分别制备铟基透明导电氧化物薄膜层或者无铟透明导电氧化物薄膜层；在铟基透明导电氧化物薄膜层上分别制备金属电极；或者在无铟透明导电氧化物薄膜层上分别制备保护层，在保护层上制备金属电极；金属电极延伸至相应的金属铝薄膜中间层。本发明专利技术大幅降低制造加工成本，满足可靠性要求。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光伏，特别是涉及一种异质结电池及其制备方法。

技术介绍

1、异质结(silicon hetero-junction；shj)技术的最高效率达到了26.81％的纪录，也是晶硅电池效率记录；异质结电池是一种n型双面电池，具有工艺流程简单、高效率、低温度系数、全程低温、节约能耗的优点，且无lid、letid衰减问题，异质结电池还具有适合薄片化，弱光响应好等众多优点。硅异质结太阳能电池以晶体硅为吸收层，吸收光子产生电子-空穴对，空穴穿过本征钝化层和p型掺杂层进入金属电极进行空穴收集；电子穿过本征钝化层和n型掺杂层进入金属电极进行电子收集，从而形成光生电流。

2、传统技术中的异质结电池结构双面采用本征非晶硅钝化，掺杂非晶硅或者掺杂微晶硅作为发射极和背场，搭配双面ito作为减反射膜和导电膜层，再结合丝网印刷或者铜电镀形成金属电极；现有异质结电池(hjt)常用的氧化铟in2o3基透明导电氧化物(tco)虽然具备良好的光电特性，可以制备出高效率异质结电池，但铟属于稀有金属且储量有限、价格昂贵，铟基的tco成本约占hjt电池非硅成本的10-15％，仅次本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，提供N型硅基底时，具体包括如下步骤：

3.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于，所述N型单晶硅片的厚度为60μm～180μm；

4.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，在所述N型硅基底的正面与背面分别制备本征非晶硅层时，具体包括如下步骤：

5.根据权利要求1～4任意一项所述的异质结电池，其特征在于，所述本征非晶硅层的厚度为2nm～10nm。

6.根据权利要求1～4任意一项所述的异质结电池，其特征在于，在正面的本...

【技术特征摘要】

1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，提供n型硅基底时，具体包括如下步骤：

3.根据权利要求2所述的异质结电池，其特征在于，所述n型单晶硅片的厚度为60μm～180μm；

4.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，在所述n型硅基底的正面与背面分别制备本征非晶硅层时，具体包括如下步骤：

5.根据权利要求1～4任意一项所述的异质结电池，其特征在于，所述本征非晶硅层的厚度为2nm～10nm。

6.根据权利要求1～4任意一项所述的异质结电池，其特征在于，在正面的本征非晶硅层上制备n型掺杂层时，具体包括如下步骤：

7.根据权利要求1～4任意一项所述的异质结电池，其特征在于，所述n型掺杂层的厚度为5nm～20nm。

8.根据权利要求1～4任意一项所述的异质结电池，其特征在于，在背面的本征非晶硅层上制备p型掺杂层时，具体包括如下步骤：

9.根据权利要求1～4任意一项所述的异质结电池，其特征在于，所述p型掺杂层的厚度5nm～30nm。

10.根据权利要求1～4任意一项所述的异质结电池，其特征在于，在所述p型掺杂层上依次制备金属铝薄膜种子层、无铟透明导电薄膜层、金属铝薄膜中间层时，具体包括如下步骤：

11.根据权利要求1～4任意一项所述的异质结电池，其特征在于，在所述n型掺杂层上依次制备金属铝薄膜种子层、无铟透明导电薄膜层、金属铝薄膜中间层时，具体包括如下步骤：

12.根据权利要求1～4任...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宏伟，段誉，侯承利，霍亭亭，殷志豪，白焱辉，孟子博，杨广涛，陈达明，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：