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本公开涉及包括与硅区接触的金属柱的集成电路以及相应的制造方法。集成电路包括至少一个硅区和在欧姆耦合区与至少一个硅区接触的至少一个金属柱。所述至少一个金属柱通过以下步骤形成：在所述至少一个硅区域上沉积钛层；在钛层上沉积氮化钛原子层；以及在71...
该专利属于意法半导体（克洛尔2）公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体（克洛尔2）公司授权不得商用。

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