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本发明涉及一种垂直电荷转移成像传感器及其形成方法。所述垂直电荷转移成像传感器中，深沟槽隔离贯穿衬底并在衬底中限定出第一数量的像素区以及位于像素区之间的第二数量的公共衬底区，多晶硅层从衬底背面保形覆盖衬底和深沟槽隔离，所述多晶硅层与各像素区和...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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