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本发明公开提升雪崩能力、导通电阻及短路能力的屏蔽型SiC MOSFET结构，包括多个并联的MOS元胞，所述MOS元胞中具有JFET区，所述JFET区的横截面呈柱型轮廓，所述柱型轮廓至少具有一粗径段和一细径段以形成屏蔽结构，所述粗径段与所述M...
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