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本申请提供一种用于驱动或者静电保护的MOS器件，包括：衬底、多个MOS单元、多个第一重掺杂区、浅沟槽隔离结构和衬底引出端，各MOS单元均包括：两个轻掺杂漏区、一个多晶硅层和两个第二重掺杂区。本申请通过在MOS单元的漏端的有源区中引入第一重掺...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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