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本发明提供一种Si基GaN‑HEMT外延片及制备方法。采用在Si衬底上生长三层AlN缓冲层的设计，有效释放因Si衬底与GaN层间晶格失配、热膨胀系数不同而产生的应力，从而降低Si衬底与GaN层之间的晶格缺陷，减少Si基GaN‑HEMT外延片...
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