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本发明涉及一种低噪声大满阱TDI‑CMOS图像传感器读出电路，属于CMOS图像传感器领域；包括埋沟型CCD结构和读出模块；埋沟型CCD结构包括p型衬底、n型埋沟、4个CCD电极和传输栅TG；n型埋沟设置在p型衬底的上表面；4个CCD电极等间...
该专利属于北京空间机电研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京空间机电研究所授权不得商用。

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