【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于cmos图像传感器领域，涉及一种低噪声大满阱tdi-cmos图像传感器读出电路。
技术介绍
1、时间延迟积分(time delay integration)型cmos图像传感器按照像素种类区别，可分为数字型tdi、ccd-cmos融合型tdi(ccd，charge coupled device)、基于雪崩机制像素的tdi等。其中ccd-cmos融合型tdi，兼顾了传统ccd图像传感器信号无噪声累加、传统cmos图像传感器高集成度等优点，同时具备无可比拟的行频性能，因此属于最具性能优势的tdi型cmos图像传感器。
2、但是对于ccd-cmos融合型tdi图像传感器，其电压摆幅天然受限，因此ccd埋沟设计需要平衡满阱、电荷转移效率、噪声等性能指标，极大制约了ccd-cmos融合型tdi图像传感器性能的进一步提升。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提出一种低噪声大满阱tdi-cmos图像传感器读出电路，适用于ccd-cmos融合型td...
【技术保护点】
1.一种低噪声大满阱TDI-CMOS图像传感器读出电路，其特征在于：包括埋沟型CCD结构和读出模块；其中，埋沟型CCD结构包括p型衬底、n型埋沟、4个CCD电极和传输栅TG；其中，p型衬底为水平放置的长方体结构；n型埋沟为水平放置的长方体结构；n型埋沟设置在p型衬底的上表面；4个CCD电极等间隔分布在n型埋沟的上表面；传输栅TG设置在n型埋沟的上表面，且位于4个CCD电极的外侧；n型埋沟的上表面设置有凹槽；读出模块包括FD节点和模拟读出前级电路；FD节点与模拟读出前级电路连接；FD节点伸入凹槽中，实现读出模块与n型埋沟连接。
2.根据权利要求1所述的一种低...
【技术特征摘要】
1.一种低噪声大满阱tdi-cmos图像传感器读出电路，其特征在于：包括埋沟型ccd结构和读出模块；其中，埋沟型ccd结构包括p型衬底、n型埋沟、4个ccd电极和传输栅tg；其中，p型衬底为水平放置的长方体结构；n型埋沟为水平放置的长方体结构；n型埋沟设置在p型衬底的上表面；4个ccd电极等间隔分布在n型埋沟的上表面；传输栅tg设置在n型埋沟的上表面，且位于4个ccd电极的外侧；n型埋沟的上表面设置有凹槽；读出模块包括fd节点和模拟读出前级电路；fd节点与模拟读出前级电路连接；fd节点伸入凹槽中，实现读出模块与n型埋沟连接。
2.根据权利要求1所述的一种低噪声大满阱tdi-cmos图像传感器读出电路，其特征在于：所述模拟读出前级电路为直接复位形式fir模拟读出前级电路，包括开关swrst、pmos管m1、pmos管m2、nmos管m3、nmos管m4、开关sw1、开关sw2和电容c1；
3.根据权利要求1所述的一种低噪声大满阱tdi-cmos图像传感器读出电路，其特征在于：所述模拟读出前级电路为自动调零复位形式fir模拟读出前级电路，包括开关swrst、pmos管m1、pmos管m2、nmos管m3、nmos管m4、开关sw1、开关sw2和电容c1；
4.根据权利要求2或3所述的一种低噪声大满阱tdi-cmos图像传感器读出电路，其特征在于：pmos管m1和pmos管m2共同构成跨导放大器，将前级fd节点电压转化为电流；nmos管m3和nmos管m4共同构成电流源；通过开关sw1控制pmos管m1、pmos管m2、nmos管m3、nmos管m4电流对后级电容c1的充电过程；通过开关sw2控制电容c1的复位。
5.根据权利要求1所述的一种低噪声大满阱tdi-cmos图像传感器读出电路，其特征在于：所述模拟读出前级电路为直接复位形式fir+iir模拟读出电路，包括开关swrst、pmos管m1、pmos管m2、nmos管m3、nmo...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩立镪，陈瑞明，张旭，程甘霖，王耕耘，谢莉莉，姚瑶，吴淞波，戴立群，卜洪波，孙启扬，张芮萌，樊奔，潘卫军，柴瑞青，谢圣文，
申请(专利权)人：北京空间机电研究所，
类型：发明
国别省市：
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