下载一种TOPCON用氧化硅溅射靶材制备工艺的技术资料

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一种TOPCON用氧化硅溅射靶材制备工艺,其包括以下步骤:S1:将粒度小于0.5um的氧化硅粉末放入包套内,然后在280‑350MPa的压力下保压5‑8min,制得初坯;S2:在1500‑1650℃的温度和30‑50MPa的压力下,对初坯进...
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