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半导体结构及其制造方法技术
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文档序号:39960584
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本公开实施例涉及半导体技术领域,提供一种半导体结构及其制造方法,半导体结构包括:沿第一方向排布的晶体管结构和电容结构,电容结构沿第一方向延伸;字线阶梯结构,与晶体管结构沿第二方向间隔排布,且字线阶梯结构沿第一方向延伸,第一方向与第二方向相交...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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