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本发明提供一种用于相变存储器的富锑Ｓｉ－Ｓｂ－Ｔｅ硫族化合物相变材料，属微电子技术领域，其保持Ｓｉ与Ｔｅ原子比为１比３，组分通式为ＳｉａＳｂ（１００－４ａ）Ｔｅ３ａ，其中１０≤ａ≤２０，与现有的Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５相变材料相比，其具有较高的结...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
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本发明提供一种用于相变存储器的富锑Ｓｉ－Ｓｂ－Ｔｅ硫族化合物相变材料，属微电子技术领域，其保持Ｓｉ与Ｔｅ原子比为１比３，组分通式为ＳｉａＳｂ（１００－４ａ）Ｔｅ３ａ，其中１０≤ａ≤２０，与现有的Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５相变材料相比，其具有较高的结...