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本发明公开了一种Si衬底的GaN外延结构及其制备方法。所述外延结构包括在Si衬底基础上从下至上顺次层叠的三维岛状叠层、Si掺杂GaN外延层、Si<subgt;x</subgt;N<subgt;y</subgt;非晶原...
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