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本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括毗邻的第一区域和第二区域，刻蚀第一区域的半导体衬底，形成第一开口，在第一开口内依次填充第一材料和第二材料，刻蚀半导体衬底和第二材料，同时分别形成第一鳍通道和...
该专利属于广东省大湾区集成电路与系统应用研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东省大湾区集成电路与系统应用研究院授权不得商用。

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