【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体相关技术的发展，研究人员发现在绝缘衬底上的硅(silicon-on-insulator，soi)衬底上制造得到的器件具有较小的寄生电容与漏电流，器件性能更为良好。soi衬底包括顶层硅、背衬底以及两者之间的埋氧化层。
2、在实际应用中，存在同时在同一片晶圆上集成不同的半导体器件的需求，例如同时集成基于soi衬底的鳍式场效应晶体管(fin field-effect transistor，finfet)和基于半导体衬底的finfet。
3、由于soi衬底价格昂贵，导致在同时集成基于soi衬底的finfet和基于半导体衬底的finfet的两个器件时，制造成本较高，不能满足低成本制造的需求。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供了一种半导体器件及其制造方法，能够降低同时集成基于soi衬底的finfet和基于半导体衬底的finfet的两个器件的制造成本。
2、本申请提供一种半导体器...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蚀第一区域的半导体衬底之前，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一开口内依次填充第一材料和第二材料包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述半导体衬底和所述第二材料，在所述第一区域和所述第二区域分别形成第一鳍通道和第二鳍通道包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述凹槽的深度大于所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蚀第一区域的半导体衬底之前，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一开口内依次填充第一材料和第二材料包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述半导体衬底和所述第二材料，在所述第一区域和所述第二区域分别形成第一鳍通道和第二鳍通道包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：苏炳熏，吕昆谚，叶甜春，罗军，赵杰，薛静，
申请(专利权)人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，
类型：发明
国别省市：
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