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公开了一种用于形成堆叠式晶体管器件的方法，其中形成纳米片场效应晶体管FET结构和鳍FET结构。该方法包括从垂直堆叠来形成第一鳍结构(110)和第二鳍结构(120)，其中第二鳍结构被布置在第一鳍结构上方，并且其中该垂直堆叠包括布置在第一和第二...
该专利属于IMEC非营利协会所有，仅供学习研究参考，未经过IMEC非营利协会授权不得商用。

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