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本发明公开了一种半导体芯片及制作方法和应用，其结构包括具有半导体层，半导体层具有一第一器件区，第一器件区设有源极、漏极和栅极，且栅极位于源极和漏极之间；半导体芯片表面按序设有第一介质钝化层和上介质钝化层，其中在栅极区域的第一介质钝化层和上介...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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