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本发明涉及一种具有超结结构的半导体器件及其制造方法。其包括位于半导体基板上的元件区域和周边区域；周边区域内设置有超结结构，在周边区域最外侧形成最外ＰＮ柱对，邻近元件区域处形成最内ＰＮ柱对；最外ＰＮ柱对的深度小于周边区域内其余任意ＰＮ柱对深度...
该专利属于无锡新洁能功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能功率半导体有限公司授权不得商用。

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