温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种磁隧道结隧穿层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：①先镀制所需隧穿层总厚度２／５的金属Ａｌ层；②镀制完成后，放入氧氩比为１∶２的混合气体中，将金属Ａｌ层氧化为Ａｌ２Ｏ３；③当步骤②氧化完成后，在生成的Ａｌ２Ｏ３薄膜上继续沉...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。