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本发明的实施方式涉及一种半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极，包含金属氧化物；第2电极，包含金属氧化物；氧化物半导体层，位于第1电极与第2电极之间；栅极电极，包围氧化物半导体层；栅极绝缘层，包含硅(Si)及氮(N)...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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