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本发明公开了高电子迁移率晶体管器件及其制造方法。高电子迁移率晶体管(HEMT)器件包括基底和半导体堆叠。半导体堆叠包括下沟道层、位于下沟道上方的用于将电子约束在下沟道中的插入层(ISL)、上沟道层、位于上沟道上方的用于将电子约束在上沟道中的...
该专利属于香港科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过香港科技大学授权不得商用。

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