温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供了电容器结构、半导体存储器装置和制造该结构的方法。所述电容器结构包括下电极和上电极、以及置于下电极与上电极之间的电容器介电膜。下电极包括：下电极膜，包括第一金属元素；第一掺杂氧化物膜，包括第一金属元素的氧化物和第二金属元素；以及第一金属...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。