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提供了一种用于静态随机存取存储器SRAM的位单元(10)，该位单元包括第一对互补晶体管和第二对互补晶体管以及第一传输门晶体管(PG1)和第二传输门晶体管(PG2)。第一反相器栅极电极(121)形成用于第一对互补晶体管的公共栅极电极，且第二反...
该专利属于鲁汶天主教大学所有，仅供学习研究参考，未经过鲁汶天主教大学授权不得商用。

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