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本申请涉及一种半导体基板加工装置与膜厚改善方法，由于排气管道的底端与气流控制环的上表面相抵接或相连，即相当于将传统的排气管道的内环延伸到气流控制环的上表面，并在内环上布置间隔的多个排气孔，通过排气孔与反应室相连通
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