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本发明提供了一种沟槽刻蚀方法，该方法包括：第一刻蚀步骤，利用第一刻蚀气体对基底进行刻蚀，以将第二类型开口所暴露出的基底刻蚀至预定深度；其中，第一刻蚀气体包括能够在第一类型开口底部形成钝化膜的第二气体；去除步骤，利用第二刻蚀气体去除第一类型开...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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