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本发明提供一种改善多晶硅栅极层刻蚀中硬掩膜层剥落的方法，提供一衬底，衬底包含存储区和外围逻辑区，存储区和外围逻辑区上均形成有栅氧化层，存储区结构的栅氧化层上形成有自下而上依次层叠的浮栅
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该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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