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本发明公开了一种浮栅非挥发半导体存储器及其制备方法。所述浮栅非挥发半导体存储器包括半导体衬底、源极区域和漏极区域、隧道绝缘层、第一多晶硅层、阻挡绝缘层、第二多晶硅层和第一金属层。所述源极区域及漏极区域包括由肖特基结和Ｐ－Ｎ结混合形成的半导体...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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