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本申请涉及使用受害者高速缓存的行锤击缓解。行锤攻击利用存储器装置的非预期及不希望的副作用，其中存储器单元通过泄漏电荷在它们之间进行电相互作用，并且可能会改变原始存储器存取中未寻址的附近存储器行的内容。通过使用受害者高速缓存缓解行锤攻击。将数...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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