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本公开涉及绝缘体上硅类型的半导体器件和相应的制造方法。绝缘体上硅类型的半导体器件包括在载体衬底的P型阱中的NMOS晶体管，在载体衬底的N型阱中的PMOS晶体管，以及被配置为在P型阱和N型阱中产生电压以便选择性地向NMOS晶体管和PMOS晶体...
该专利属于意法半导体（克洛尔2）公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体（克洛尔2）公司授权不得商用。

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